金屬合金材料研究可以清楚地看出，金屬合金材料顆粒相關侵蝕和GB侵蝕之間存在聯系，這些聯系為合金的深滲透提供了途徑。然而，值得注意的是，從點蝕到晶間腐蝕是該合金的典型腐蝕特征。此外，由于這些鏈接的非線性形式，攻擊分支明顯，因此通常很難通過橫斷面檢查跟蹤攻擊從表面到遠低于表面的區域。與新一代金屬合金材料，特別是AA2098和AA2198合金不同，AA2024-T3合金中SLC的萌生與粗大的金屬間化合物相有關，而腐蝕的擴展與軋制方向無關。此外，在AA2024-T3合金上觀察到更多的SLC位點，并且攻擊穿透到合金中非常深——是新一代合金(除了AA2050-T84合金)上觀察到的兩倍深。

新一代金屬合金材料說明了為什么從坑的總電流比從極化曲線上觀察到的偽無源電流大。因此，可以認為新一代Al-Cu-Li合金(除了AA2050-T84合金)比AA2024-T3合金具有更強的耐蝕性。AA6082-T6合金腐蝕表面的掃描電鏡圖像(a, b)去除腐蝕產物前和(c)后。(d)顯示晶間侵蝕的腐蝕合金橫截面。在該合金中，腐蝕的主要形式是溝槽和空洞(微坑)的形成，這與粗富鐵顆粒的活性有關。富鐵顆粒是該合金的主要粗顆粒。SLC的形成是非常罕見的。事實上，在整個地區只發現了一處暴露在外的地方，而且沒有被發現。觀察到的SLC沿晶分布(圖13d)，穿透深度僅為30 μm。該合金中IGC的形成是由于GBs處Mg2Si粒子的形成，GBs處有擴寬的析出相自由區(PFZs)，如圖14a中的TEM圖像所示。

新一代金屬合金材料中Mg2Si相對Al基體具有高度的陽極性。在緊鄰GBs的區域沒有沉淀促進了高陽極化Mg2Si相和pfz之間的電偶相互作用。暴露后，Mg2Si相中的Mg組分被選擇性地溶解，留下富si顆粒殘余。雖然一些作者認為，富硅顆粒在水存在的情況下迅速形成SiO2，因此不是有效的陰極，但人們認為，這一殘余是陰極的，導致鄰近pfz的溶解。圖14b,c中可以看到富硅Mg2Si粒子活性的一個例子。所提供的圖像來自于AA6082-T6樣品的輕度腐蝕區域，該樣品暴露在3.5%的NaCl溶液中7天。在獲得圖像前未去除腐蝕產物。從這些圖像可以看出，富硅顆粒導致相鄰基體的溶解，導致GB的選擇性溶解。