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Si硅

硅是具有符號Si和原子序數(shù)14的化學(xué)元素。四價(jià)準(zhǔn)金屬,硅的反應(yīng)性低于其化學(xué)類比碳。作為宇宙中第八個(gè)最常見的元素,硅偶爾作為純自由元素出現(xiàn),但是作為各種形式的二氧化硅(二氧化硅)或硅酸鹽,分布在灰塵,飛機(jī)和行星中更廣泛。在地球上,硅是地殼中第二最豐富的元素(氧后),[1]占地殼的25.7%。

硅有許多工業(yè)用途。元素硅是大多數(shù)半導(dǎo)體器件的主要部件,最重要的是集成電路或微芯片。硅被廣泛用于半導(dǎo)體,因?yàn)樗诒劝雽?dǎo)體鍺更高的溫度下保持半導(dǎo)體,并且由于其天然氧化物容易在爐中生長并且形成比任何其它材料更好的半導(dǎo)體/電介質(zhì)界面。

以二氧化硅和硅酸鹽的形式,硅形成有用的玻璃,水泥和陶瓷。它也是有機(jī)硅的組成部分,是由硅,氧,碳和氫制成的各種合成塑料物質(zhì)的類名,通常與硅本身混淆。

硅是生物學(xué)的一個(gè)基本要素,雖然只有微小的痕跡似乎是動(dòng)物需要的。更重要的是植物的代謝,特別是許多禾本科植物,硅酸(一種二氧化硅)形成了微觀硅藻的保護(hù)殼陣列的基礎(chǔ)。

技術(shù)數(shù)據(jù)
符號 Si 密度(20°C)/ gcm 3 2.336(?2.905
原子數(shù) 14 熔點(diǎn)/℃ 1420
天然存在的同位素?cái)?shù)量 3 沸點(diǎn)/℃ -3280
原子重量 28.0855(+/- 3) ΔH FUS / kJmol -1 50.6
電子配置 [Ne] 3s 2 3p 2 ΔH VAP / kJmol -1 383
IV(共價(jià))/ pm 117.6 ΔHf (單原子氣體) / kJmol -1 454
IV(離子,6坐標(biāo))/ pm 40 電離能 / kJmol -1 I 786.3
電阻率(20°C)/μohmcm ?48 電離能 / kJmol -1 II 1576.5
保寧電負(fù)性 1.8 電離能/ kJmol -1 III 3228.3
帶隙E g / kJmol -1 106.8 電離能/ kJmol -1 IV
蒸發(fā)技術(shù)
溫度(? C)@Vap。壓力 技術(shù) 備注
10 -8 10 -6 10 -4 電子束
992 1147 1337 公平 鉭和玻璃狀石墨 - 鎢和鉭 鎢合金; 使用重型鎢舟。SiO 4產(chǎn)生高于4×10 -6乇。EB最佳
硅(Si)
電阻合金
名稱 型號 元素名稱 電阻值
μΩ/Cm/20°C
導(dǎo)電率
S/W
密度
g/cm3
立承德-卡瑪 NEXTM KAMA NiCr20AlSi 132 0.76 8
電熱合金
型號 元素名稱 熔點(diǎn)
°C 
溫度公差 溫度范圍
KP Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260 標(biāo)準(zhǔn)公差
KN Ni,Mn,Al,Si 1400 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
NP Ni,Si,Cr 1394 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
NN Ni,Si 1341 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
EP Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±1.7°C or ±0.5% (t90) 0 to 870
JP Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 760
KPX Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±2.2°C 0 to 200
KNX Ni,Mn, Al, Si 1400 ±2.2°C 0 to 200
NPX Ni,Si,Cr 1394 ±2.2°C 0 to 200
NNX Ni,Si 1341 ±2.2°C 0 to 200
EPX Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±1.7°C 0 to 200
JPX Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±2.2°C 0 to 200
KPCA Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±100μV(±2.5°C) 0 to 150 二級公差
靶材
材料名稱 元素名稱 原子序數(shù) 導(dǎo)熱性
W/m.K
理論密度
g/cc
Silicon_Si  Si 14 150 2.32
蒸鍍材料
材料名稱 元素名稱 原子序數(shù)  導(dǎo)熱性
W/m.K
理論密度
g/cc
Si硅P-type(片) Si 14 150 2.32


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